CMOS反相器寄生电容提取
集成电路寄生参数提取流程可满足先进工艺条件下集成电路器件互连线电磁寄生参数的精确快速提取，自动完成从GDSII版图到参数网表的计算。
EMPbridge参数提取流程可高效计算电工及电子器件与设备电路参数和寄生参数。
集成电路寄生参数提取流程可满足先进工艺条件下集成电路器件互连线电磁寄生参数的精确快速提取，自动完成从GDSII版图到参数网表的计算。
寄生参数对产品的精度、速度和灵敏度影响巨大， EMPbridge 为设计研发工程师提供寄生参数的提取。
EMPbridge基于不确定性量化技术，能够给出随机模型下物理分析结果的统计特征。
考虑工艺涨落的影响，EMPbridge 为设计研发工程师提供模型电容参数随机分布统计结果。
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同时考虑温度效应和涡流集肤效应的平面型IGBT模块电路参数提取。(左：1khz,右：100khz))
EMPbridge 基于电磁及多物理场的求解器可精确快速提取各类电工器件与设备在不同工况下电路和寄生参数。